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第五讲 双极型晶体管 Test1 二极管和晶体管

1、 N型半导体中的多数载流子是()。

答案: 自由电子

2、 P型半导体中的多数载流子是()。

答案: 空穴

3、 P型半导体()。

答案: 呈中性

4、 PN结中扩散电流的方向是()。

答案: 从P区到N区    

5、 PN结中漂移电流的方向是()。

答案:  从N区到P区     

6、 当PN结外加反向电压时,耗尽层()。

答案: 变宽      

7、 当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的() 。

答案: 少数载流子浓度增大

8、 万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()。

答案: 增加

9、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第1张

答案: CBE

10、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第2张

答案:  BEC     

11、 在放大电路中,若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V,这三极管的类型是( )。

答案:  PNP型Si管       

12、 在放大电路中,若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V,这三极管的类型是( )。

答案:  NPN型Ge管 

13、 一个NPN管在电路中正常工作,现测得:UBE>0,UBC>0, UCE>0,则此管工作区为()。

答案: 饱和区 

14、 电路图如图所示,设二极管的导通电压均为0.7V,则D1,D2,D3三个二极管的状态分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第3张

答案: 导通  截止 导通

15、 如图所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在()区。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第4张

答案: 饱和区  

16、 二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下(ui波形如图b所示),其输出波形为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第5张

答案: 中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第6张

17、 判断右图电路中各二极管是否导通后,可求出VAO值为()。(设二极管的正向压降VF为0.7V。)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第7张

答案:  -5.3V

18、 在如图所示电路中,计算可得流过二极管的电流ID为()。(设二极管导通时的正向压降UD=0.7V)。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第8张

答案:  0mA   

19、 一个NPN管在电路中正常工作,现测得UBE>0,UBC<0,UCE>0,则此管工作区为( )。

答案: 放大区   

20、 晶体管的控制方式为()。

答案: 电流控制电流

21、 在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。则当U降低到50V时,则I约为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第9张

答案: 1μA      

22、 在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。当U保持100V不变,温度降低到10°C时,则I约为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第10张

答案: 0.5μA  

23、 如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第11张

答案: 截止      

24、 如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第12张

答案: 放大      

25、 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,下图所示电路中的UO1为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第13张
答案: 6

26、 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,下图所示电路中的UO2为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第14张
答案: 5

27、 二极管电路如图所示。其中I1=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第15张
答案: 0

28、 二极管电路如图所示。其中I=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第16张
答案: 3

29、 二极管电路如图所示。其中I1=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第17张
答案: 0

30、 二极管电路如图所示。其中I2=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第18张
答案: 15

31、 二极管电路如图所示。其中I=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第18张
答案: -15

32、 二极管电路如图所示。输出电压Uo值为()V。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第20张
答案: 0

33、 在如图所示电路中,已知稳压管D1、D2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第21张
答案: 4

34、 某电路中,三极管静态时各极对地的电位如图所示,则其工作于()状态。(放大、饱和、截止)(设三极管和二极管均为硅管)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第22张
答案: 截止

35、 二极管电路如图所示。输出电压Uo值为()V。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第23张
答案: 10

36、 电路中二极管理想,其工作状态是()。(导通,截止)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第24张
答案: 导通

37、 图中稳压管VD1、VD2的稳定电压分别是5V和9V,则输出电压Uo为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第25张
答案: 5

38、 已知某晶体管的PCM=800mW,ICM=500mA, U(BR)CEO=30V。若该管子在电路中工作电压UCE =10V,则工作电流IC不应超过___mA。
答案: 80

39、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第1张

答案: CBE

40、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第2张

答案:  BEC     

41、 电路图如图所示,设二极管的导通电压均为0.7V,则D1,D2,D3三个二极管的状态分别为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第3张

答案: 导通  截止 导通

42、 如图所示的电路中的三极管为硅管,β=50,通过估算,可判断电路工作在()区。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第4张

答案: 饱和区  

43、 二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下(ui波形如图b所示),其输出波形为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第5张

答案: 中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第6张

44、 判断右图电路中各二极管是否导通后,可求出VAO值为()。(设二极管的正向压降VF为0.7V。)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第7张

答案:  -5.3V

45、 在如图所示电路中,计算可得流过二极管的电流ID为()。(设二极管导通时的正向压降UD=0.7V)。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第8张

答案:  0mA   

46、 在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。则当U降低到50V时,则I约为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第9张

答案: 1μA      

47、 在如下电路中,已知二极管的反向击穿电压为300V,当U=100V、温度为20°C时,I=1μA。当U保持100V不变,温度降低到10°C时,则I约为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第10张

答案: 0.5μA  

48、 如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第11张

答案: 截止      

49、 如下电路中的晶体管为硅管,β=100,则晶体管的工作状态为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第12张

答案: 放大      

50、 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,下图所示电路中的UO2为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第14张
答案: 5

51、 二极管电路如图所示。其中I1=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第15张
答案: 0

52、 二极管电路如图所示。其中I1=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第17张
答案: 0

53、 二极管电路如图所示。其中I2=()mA。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第18张
答案: 15

54、 在如图所示电路中,已知稳压管D1、D2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第21张
答案: 4

55、 某电路中,三极管静态时各极对地的电位如图所示,则其工作于()状态。(放大、饱和、截止)(设三极管和二极管均为硅管)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第22张
答案: 截止

56、 二极管电路如图所示。输出电压Uo值为()V。(二极管理想)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第23张
答案: 10

57、 电路中二极管理想,其工作状态是()。(导通,截止)中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第24张
答案: 导通

58、 图中稳压管VD1、VD2的稳定电压分别是5V和9V,则输出电压Uo为()V。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第25张
答案: 5

第十一讲 其他组态的BJT放大电路 Test2 基本放大电路

1、 下图所示电路中,若将RB减小,则IC将()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第47张

答案: 增大 

2、 下图所示电路中,若将RB减小,则集电极电位VC将()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第48张

答案: 减小 

3、 下图所示晶体管原处于放大状态,若将RB调到零,则晶体管()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第49张

答案: 烧毁

4、 图示放大电路中,若将RB阻值调小,而晶体管仍工作于放大区,则电压放大倍数|Au|将()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第50张

答案: 增大

5、 在图示分压偏置放大电路中,通常偏置电阻Rb1()Rb2。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第51张

答案: 小于      

6、 射极输出器()。

答案: 有电流放大作用,没有电压放大作用

7、 下图两级放大电路中的T1和T2管分别构成哪种组态的放大电路()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第52张

答案: 共基-共集

8、 电 路 如 图 所 示,晶体管β=50,UBE=0.6 V,RB=72 kW,RC=1.5 kW, UCC=9V,当RW=0时,晶体管处于临界饱和状态,正常工作时静态集电极电流IC Q  应等于3 mA,此时应把RW 调整为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第53张

答案: 68  kΩ   

9、 下图所示复合管的等效管类型为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第54张

答案: PNP       

10、 在图示电路中 ,当输入电压为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形出现底部削平失真,这种失真是()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第55张

答案: 截止失真

11、 在图示电路中 ,如果出现截止失真,为了消除失真,应()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第56张

答案: 减小Rb

12、 有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大,并接有相同大小的负载电阻,测得A的输出电压比B的大。这说明A的()比B的()。

答案: 输出电阻 小

13、 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时,输出电压为 2V;输入电压为 0.1V时,输出电压为 9V(均指直流电压)。则该放大电路的电压放大倍数()。

答案: -35

14、 图示共基放大电路中,β增大时,UCEQ将()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第57张

答案: 变化不大        

15、 已知图示电路中晶体管的β=100,rbe=1kΩ,在输入电压为有效值等于10mV的1kHz正弦信号时,估计输出电压有效值为()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第58张

答案: 1V 

16、 在共发射极放大器中,在发射极加入电阻Re,则电压增益|Au|()。

答案: 变小      

17、 在如图所示的放大电路中,设Vcc=10V,Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,RL=2KΩ。电容C1,C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100(假设rbb’约为0),则此放大电路的电压放大倍数()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第59张

答案: 基本不变

18、 射极输出电路如图所示,保持Ui不变,将RL减小一半,这时Uo将()。中国大学mooc慕课 模拟电子技术基础(国防科技大学)  答案满分完整版章节测试第60张

答案: 变化不大             


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