景好硅寒兰抒枪辉奋寂徒节函
第二章集成运算放大器的基本应用
同相比例放大器及反相比例放大器
1、判断题：
答案: 错误
2、判断题：
答案: 错误
微分器
1、判断题：
微分器可实现信号的90度移相 ( )
答案: 正确
电压——电流变换器及电流——电压变换器A
1、判断题：
电压—电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比 ( )
答案: 错误
相减器A
1、单选题：
答案: 相减器
2、判断题：
要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端 ( )
答案: 错误
相减器B
1、判断题：
相减器也可实现信号直流电平的移位
答案: 正确
相加器
1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。 （ ）
答案: 正确
2、判断题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 （ ）
答案: 正确
积分器
1、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波 ( )
答案: 正确
2、判断题：
积分器可实现信号的-90度移相 ( )
答案: 正确
集成运算放大器应用基础符号、模型、传输特性
1、判断题：
答案: 正确
2、判断题：
答案: 错误
集成运算放大器的基本应用
1、单选题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：
答案: 相加器
2、单选题：
欲要消除共模干扰，应选用：
答案: 相减器
3、单选题：
要实现运放基本运算电路，可：
答案: 必引入负反馈
4、单选题：
答案: -2
5、单选题：
电路如图1所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
答案: 10k
6、单选题：
答案: 5
7、单选题：
电路如图2所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
答案: 无穷大
8、单选题：
电路如图4所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案: -1V
9、单选题：
电路如图5所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案:
10、单选题：
电路如图6所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案: +3V
11、单选题：
答案: 反相积分器
12、判断题：
答案: 正确
13、判断题：
理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )
答案: 错误
14、判断题：
答案: 正确
15、判断题：
反相比例放大器放大倍数绝对值可大于1, 也可等于1, 也可小于1。 ( )
答案: 正确
16、判断题：
同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 ( )
答案: 正确
17、判断题：
答案: 正确
18、判断题：
积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能 ( )
答案: 正确
19、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大，输出三角波幅度越小 ( )
答案: 正确
20、判断题：
将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压 ( )
答案: 正确
21、判断题：
微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波 ( )
答案: 正确
22、判断题：
微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声 ( )
答案: 正确
23、判断题：
电压—电流变换器的负载电流IL与输入电压成正比, 与负载电阻RL大小无关 ( )
答案: 正确
24、判断题：
图1和图2的输出电阻Ro均为零 ( )
答案: 正确
25、判断题：
电路如图3所示，则该电路的输出电压为-12V ( )
答案: 正确
第三章有源RC滤波器
RC有源滤波器
1、单选题：
要从方波中滤出三次谐波分量应采用 ( )
答案: 带通滤波器
2、单选题：
电路如图1所示，该电路是 ( )
答案: 一阶低通滤波器
3、单选题：
电路如图1所示，该电路的截止频率为 ( )
答案:
4、单选题：
电路如图3所示，该电路是 ( )
答案: 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器
5、单选题：
电路如图4所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key带通滤波器
6、单选题：
电路如图5所示，该电路的通带增益k和Q值分别为 ( )
答案: K=1 Q=0.5
7、单选题：
答案: 将C2与R2位置对调
8、单选题：
电路如图7所示, 其中 R1C1 > R2C2则该电路是 ( )
答案: 二阶带通滤波器
9、单选题：
有源滤波器电路如图9所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )
答案: 一阶全通滤波器
10、判断题：
1.滤波器“阶数”由传递函数分母的根数决定、它与电路中独立储能元件(电容 和电感)的数目有关 ( )
答案: 正确
11、判断题：
通带内有起伏, 过渡带较窄的是切比雪夫滤波器 ( )
答案: 正确
有源RC滤波器实现1.A——一阶有源滤波器
1、单选题：
电路如图1所示，该电路的通带增益为 ( )
答案:
有源RC滤波器实现1.B——二阶Sallen-Key滤波器
1、单选题：
要从方波中滤出基波分量应采用 ( )
答案: 低通滤波器
2、单选题：
电路如图2所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key低通滤波器
3、单选题：
电路如图2所示，该电路的通带增益为 ( )
答案:
4、单选题：
电路如图5所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key低通滤波器
5、判断题：
答案: 正确
6、判断题：
对有源滤波器来说, 品质因素Q值越大越好 ( )
答案: 错误
有源RC滤波器实现——二阶MFB滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图10所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )
答案: 二阶MFB带通滤波器
有源RC滤波器实现——带阻、全通、多功能状态变量滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图8所示，则该电路属于何种功能的滤波器？( )
答案: 二阶带阻滤波器
有源RC滤波器概念
1、判断题：
滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形 ( )
答案: 正确
2、判断题：
有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高 , 对吗? ( )
答案: 错误
3、判断题：
具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器 ( )
答案: 正确
4、判断题：
过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器 ( )
答案: 正确
第四章常用半导体器件原理、特性及参数
MOS场效应管的工作原理和特性参数
1、单选题：
有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
答案: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
P–N结
1、判断题：
P–N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
答案: 正确
2、判断题：
P–N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
答案: 错误
半导体物理基础
1、判断题：
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
答案: 错误
2、判断题：
载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。
答案: 错误
双极型三极管和场效应管的低频小信号模型
1、判断题：
降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
答案: 正确
2、判断题：
rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
答案: 正确
双极型晶体管工作原理
1、判断题：
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
答案: 正确
2、判断题：
答案: 正确
双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例
1、判断题：
测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,
且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,
U3对应的是基极b。
答案: 正确
双极型晶体管特性曲线
1、判断题：
晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
答案: 正确
2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
答案: 正确
各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比
1、单选题：
答案: N沟道增强型MOSFET
常用半导体器件原理、特性及参数
1、单选题：
N 型半导体是在本征半导体内掺入
答案: 五价元素, 如磷等
2、单选题：
双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
答案: e结正偏, c结反偏
3、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以
及各管脚为
答案: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
4、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
答案:
NPN管
5、单选题：
某管特性曲线如下图所示, 则该为
答案: N沟道增强型MOS场效应管
6、判断题：
N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
答案: 正确
7、判断题：
漂移电流与电场强度成正比
答案: 正确
8、判断题：
扩散电流与载流子浓度梯度成正比
答案: 正确
9、判断题：
二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
答案: 正确
10、判断题：
本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
答案: 正确
11、判断题：
施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
答案: 正确
12、判断题：
二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V
答案: 正确
13、判断题：
二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
答案: 错误
14、判断题：
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
答案: 错误
15、判断题：
二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
答案: 正确
16、判断题：
PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
答案: 错误
17、判断题：
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
答案: 正确
18、判断题：
稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
答案: 正确
19、判断题：
理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
答案: 正确
20、判断题：
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
答案: 正确
21、判断题：
场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
答案: 正确
22、判断题：
双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
答案: 错误
23、判断题：
结型场效应管的漏极与源极可互换使用
答案: 正确
24、判断题：
场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
答案: 正确
25、判断题：
无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
答案: 错误
26、判断题：
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
答案: 正确
27、判断题：
在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
答案: 正确
28、判断题：
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
答案: 正确
晶体二极管特性及参数
1、判断题：
理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。
答案: 正确
稳压二极管及其他二极管
1、判断题：
稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。
答案: 正确
2、判断题：
某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。
答案: 正确
结型场效应管的工作原理和特性参数
1、判断题：
答案: 正确
第五章双极型晶体管和场效应管放大器基础
共基放大器性能分析及三种组态性能对比
1、判断题：
三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的
答案: 正确
2、判断题：
三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强
答案: 正确
共射、共集、共基放大器分析与对比
1、单选题：
有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（ ）
答案: 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
2、单选题：
带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的rbe = 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（ ）
答案: Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
共射放大器性能分析
1、判断题：
共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC//RL)成正比
答案: 正确
2、判断题：
共射放大器放大倍数与β值成正比
答案: 错误
3、判断题：
共射放大器放大倍数大小与工作点电流ICQ无关
答案: 错误
共漏放大器和共栅放大器分析
1、判断题：
因为场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻
答案: 正确
2、判断题：
漏放大器的输出电阻
答案: 正确
共集放大器性能分析
1、判断题：
共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相同, 所以共集放大器又称射极跟随器
答案: 正确
2、判断题：
在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+β), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+β)。原因是发射极电流是基极的(1+β)倍
答案: 正确
典型放大电路结构特点,三种阻态放大器电路
1、判断题：
放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结电压对集电极电流有很强的控制能力
答案: 正确
2、判断题：
三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同
答案: 正确
双极型晶体管和场效应管放大器
1、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于
答案: 
2、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案: 
3、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为
答案:
4、多选题：
放大电路如下图如示, Rc增大, 则
答案: 电压放大倍数增大;;
输出电阻增大;;
工作点电流不变。
5、多选题：
放大电路如下图所示，RB增大, 则
答案: 电压放大倍数减小;;
输入电阻增大;;
工作点电流减小。
6、判断题：
晶体管放大器待放大信号一定要加到发射极或基极,不能加到集电极。
答案: 正确
7、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入、输出信号同相的是共集与共基，反相的是共射。
答案: 正确
8、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为缺Rc, 输出交流电压信号恒等于零。
答案: 正确
9、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为两个电路发射结均无正偏压, 管子工作在截止状态。
答案: 正确
10、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为没有RB, 发射结偏压太大,管子要烧坏, 而且基极交流接地, 信号加不进来。
答案: 正确
11、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为PNP管发射结被反偏, 管子截止。
答案: 正确
12、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最大, 输出电阻最小的是共集电极放大器。
答案: 正确
13、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 带负载能力最强的是共射放大器。
答案: 错误
14、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最小的是共基极放大器。
答案: 正确
15、判断题：
所有场效应管放大器都可以采用自偏压做为偏置电路。
答案: 错误
16、判断题：
由于场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻主要由偏置电路的电阻决定。
答案: 正确
17、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案: 正确
18、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案: 正确
19、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器输出电阻为
答案: 正确
20、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路从集电极输出为共射放大器,增益
输出电阻
。该电路从发射极输出为共集电极放大器, 增益
输出电阻
答案: 正确
21、判断题：
放大电路及其交直流负载线如下图如示, 由图可见该电路的参数如下：
答案: 正确
22、判断题：
放大电路如下图如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 则该电路产生了截止失真。
答案: 正确
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同相比例放大器及反相比例放大器
1、判断题：
答案: 错误
2、判断题：
答案: 错误
微分器
1、判断题：
微分器可实现信号的90度移相 ( )
答案: 正确
电压——电流变换器及电流——电压变换器A
1、判断题：
电压—电流变换器的负载电流IL与负载电阻RL成正比 ( )
答案: 错误
相减器A
1、单选题：
答案: 相减器
2、判断题：
要实现信号相减, 被减信号应加到运放反相端, 减信号应加到同相端 ( )
答案: 错误
相减器B
1、判断题：
相减器也可实现信号直流电平的移位
答案: 正确
相加器
1、判断题：
在反相相加器中，运放反相端可视为”虚地”。 （ ）
答案: 正确
2、判断题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 可选用相加器 （ ）
答案: 正确
积分器
1、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 余弦波变换为正弦波 ( )
答案: 正确
2、判断题：
积分器可实现信号的-90度移相 ( )
答案: 正确
集成运算放大器应用基础符号、模型、传输特性
1、判断题：
答案: 正确
2、判断题：
答案: 错误
集成运算放大器的基本应用
1、单选题：
欲将正弦信号叠加一个直流电压, 应选用：
答案: 相加器
2、单选题：
欲要消除共模干扰，应选用：
答案: 相减器
3、单选题：
要实现运放基本运算电路，可：
答案: 必引入负反馈
4、单选题：
答案: -2
5、单选题：
电路如图1所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
答案: 10k
6、单选题：
答案: 5
7、单选题：
电路如图2所示，则该电路的输入电阻Rif等于 ( )
答案: 无穷大
8、单选题：
电路如图4所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案: -1V
9、单选题：
电路如图5所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案:
10、单选题：
电路如图6所示，则该电路的输出电压为 ( )
答案: +3V
11、单选题：
答案: 反相积分器
12、判断题：
答案: 正确
13、判断题：
理想运放”虚短路”的概念在任何条件下都成立 ( )
答案: 错误
14、判断题：
答案: 正确
15、判断题：
反相比例放大器放大倍数绝对值可大于1, 也可等于1, 也可小于1。 ( )
答案: 正确
16、判断题：
同相比例放大器中, 运放输入端存在共模电压 ( )
答案: 正确
17、判断题：
答案: 正确
18、判断题：
积分器的高频增益小, 有滤除高频的功能 ( )
答案: 正确
19、判断题：
积分器可将方波变换为三角波, 积分时常数越大，输出三角波幅度越小 ( )
答案: 正确
20、判断题：
将一个直流电压积分, 其输出最终必为电源电压 ( )
答案: 正确
21、判断题：
微分器可将三角波变换为方波, 余弦波变换为正弦波 ( )
答案: 正确
22、判断题：
微分器的高频增益大, 不利于滤除高频噪声 ( )
答案: 正确
23、判断题：
电压—电流变换器的负载电流IL与输入电压成正比, 与负载电阻RL大小无关 ( )
答案: 正确
24、判断题：
图1和图2的输出电阻Ro均为零 ( )
答案: 正确
25、判断题：
电路如图3所示，则该电路的输出电压为-12V ( )
答案: 正确
第三章有源RC滤波器
RC有源滤波器
1、单选题：
要从方波中滤出三次谐波分量应采用 ( )
答案: 带通滤波器
2、单选题：
电路如图1所示，该电路是 ( )
答案: 一阶低通滤波器
3、单选题：
电路如图1所示，该电路的截止频率为 ( )
答案:
4、单选题：
电路如图3所示，该电路是 ( )
答案: 二阶MFB(多路反馈)低通滤波器
5、单选题：
电路如图4所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key带通滤波器
6、单选题：
电路如图5所示，该电路的通带增益k和Q值分别为 ( )
答案: K=1 Q=0.5
7、单选题：
答案: 将C2与R2位置对调
8、单选题：
电路如图7所示, 其中 R1C1 > R2C2则该电路是 ( )
答案: 二阶带通滤波器
9、单选题：
有源滤波器电路如图9所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )
答案: 一阶全通滤波器
10、判断题：
1.滤波器“阶数”由传递函数分母的根数决定、它与电路中独立储能元件(电容 和电感)的数目有关 ( )
答案: 正确
11、判断题：
通带内有起伏, 过渡带较窄的是切比雪夫滤波器 ( )
答案: 正确
有源RC滤波器实现1.A——一阶有源滤波器
1、单选题：
电路如图1所示，该电路的通带增益为 ( )
答案:
有源RC滤波器实现1.B——二阶Sallen-Key滤波器
1、单选题：
要从方波中滤出基波分量应采用 ( )
答案: 低通滤波器
2、单选题：
电路如图2所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key低通滤波器
3、单选题：
电路如图2所示，该电路的通带增益为 ( )
答案:
4、单选题：
电路如图5所示，该电路是 ( )
答案: 二阶Sallen– key低通滤波器
5、判断题：
答案: 正确
6、判断题：
对有源滤波器来说, 品质因素Q值越大越好 ( )
答案: 错误
有源RC滤波器实现——二阶MFB滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图10所示，则该电路是何种功能的滤波器？( )
答案: 二阶MFB带通滤波器
有源RC滤波器实现——带阻、全通、多功能状态变量滤波器
1、单选题：
有源滤波器电路如图8所示，则该电路属于何种功能的滤波器？( )
答案: 二阶带阻滤波器
有源RC滤波器概念
1、判断题：
滤波器阶数越大, 过渡带越窄, 幅频特性越接近矩形 ( )
答案: 正确
2、判断题：
有同学说,滤波器频率越高, 阶数就越高 , 对吗? ( )
答案: 错误
3、判断题：
具有通带内最平坦响应的滤波器是巴特沃斯滤波器 ( )
答案: 正确
4、判断题：
过渡带最长, 但具有线性相移的是贝塞尔滤波器 ( )
答案: 正确
第四章常用半导体器件原理、特性及参数
MOS场效应管的工作原理和特性参数
1、单选题：
有关场效应管，以下说法错误的是（ ）
答案: 发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
P–N结
1、判断题：
P–N结正偏时, 内外电场迭加时, 使势垒降低, 扩散运动占优势, 形成了较大的正向电流。
答案: 正确
2、判断题：
P–N结反偏时, 空间电荷区变厚变宽, 故势垒电容变大。
答案: 错误
半导体物理基础
1、判断题：
N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电，P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
答案: 错误
2、判断题：
载流子浓度越大, 漂移电流与扩散电流也越大。
答案: 错误
双极型三极管和场效应管的低频小信号模型
1、判断题：
降低工作点电流和提高β值可以增大管子的输入电阻rbe 。
答案: 正确
2、判断题：
rce 和 rds 分别表示晶体管和场效应管的输出电阻，他们的计算公式均为 厄尔利电压UA/工作点电流ICQ(IDQ)。
答案: 正确
双极型晶体管工作原理
1、判断题：
晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。
答案: 正确
2、判断题：
答案: 正确
双极型晶体管极限参数和工作状态判别举例
1、判断题：
测得三极管三个电极的电压如图所示, 则判断该管属硅NPN管,
且工作在放大区, 其中U1对应的是发射极e, U2对应的是集电极c,
U3对应的是基极b。
答案: 正确
双极型晶体管特性曲线
1、判断题：
晶体三极管放大区的条件是e结正偏、c结反偏,特点是iB对iC的控制能力强, 随着iB增大, 曲线基本平行上升, 其间隔大小表示β值大小。uCE变化对iC影响不大，具有基本的恒流特性。
答案: 正确
2、判断题：
晶体三极管饱和区的条件是e结正偏、c结正偏,特点是iB对iC的控制能力很弱, β值很小, 甚至趋向于零。
答案: 正确
各类场效应管对比双极型三极管与场效应管对比
1、单选题：
答案: N沟道增强型MOSFET
常用半导体器件原理、特性及参数
1、单选题：
N 型半导体是在本征半导体内掺入
答案: 五价元素, 如磷等
2、单选题：
双极型晶体三极管工作在放大区的条件是
答案: e结正偏, c结反偏
3、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电压如图所示,则该管的类型以
及各管脚为
答案: 硅管, U3对应为基极b, U1对应为发射极e, U2对应为集电极c
4、单选题：
测得工作在放大区的双极型晶体三极管各极电流如图所示,则该管的类型、各管脚电流以及β值为
答案:
NPN管
5、单选题：
某管特性曲线如下图所示, 则该为
答案: N沟道增强型MOS场效应管
6、判断题：
N 型半导体多数载流子是自由电子, P型半导体多数载流子是空穴
答案: 正确
7、判断题：
漂移电流与电场强度成正比
答案: 正确
8、判断题：
扩散电流与载流子浓度梯度成正比
答案: 正确
9、判断题：
二极管电路如下图，当E=4V, 电流表指示I=3.35mA, 则可判断该二极管为硅管
答案: 正确
10、判断题：
本征半导体温度升高后自由电子和空穴浓度增大, 但二者仍然相等
答案: 正确
11、判断题：
施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子
答案: 正确
12、判断题：
二极管特性符合指数特性, 并存在一定的死区电压.硅约为0.5-0.7V, 锗约为0.2–0.3V
答案: 正确
13、判断题：
二极管所加正向电压增大时, 其动态电阻增大
答案: 错误
14、判断题：
只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
答案: 错误
15、判断题：
二极管最重要的特性是单向导电性,在整流、限幅、电平选择、开关等应用中,一定要保证不能反向击穿
答案: 正确
16、判断题：
PN结加正向偏压时, 其耗尽层变厚, 加反向偏压时, 其耗尽层变薄
答案: 错误
17、判断题：
温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
答案: 正确
18、判断题：
稳压管电路如下图, 若Ui=20V, RL=250Ω, 稳压管击穿电压UZ=10V, 限流电阻R=100Ω, 则稳压管流过的工作电流为60mA
答案: 正确
19、判断题：
理想二极管的正向导通电阻为零, 反向截止阻抗为无穷大
答案: 正确
20、判断题：
双极型晶体三极管的集电极电流与发射结电压成指数关系
答案: 正确
21、判断题：
场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
答案: 正确
22、判断题：
双极型晶体三极管的集电极与发射极可以互换使用
答案: 错误
23、判断题：
结型场效应管的漏极与源极可互换使用
答案: 正确
24、判断题：
场效应管的栅流趋于零, 输入电阻趋于旡穷大
答案: 正确
25、判断题：
无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
答案: 错误
26、判断题：
场效应管的跨导gm表示栅源电压对漏极电流的控制能力
答案: 正确
27、判断题：
在相同工艺和外加电压情况下, MOS场效应管的尺寸越大(即宽长比W/L越大),漏极电流将越大, 跨导gm也越大
答案: 正确
28、判断题：
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
答案: 正确
晶体二极管特性及参数
1、判断题：
理想二极管等效于一个理想开关, 正偏导通时相当于短路，反偏截止时相当于开路。
答案: 正确
稳压二极管及其他二极管
1、判断题：
稳压二极管的工作区在反向击穿区, 而不是在正向导通区。
答案: 正确
2、判断题：
某稳压二极管的允许功耗为300mW, 稳定电压为6V, 则稳压管最大允许的反向电流为50mA。
答案: 正确
结型场效应管的工作原理和特性参数
1、判断题：
答案: 正确
第五章双极型晶体管和场效应管放大器基础
共基放大器性能分析及三种组态性能对比
1、判断题：
三种组态放大器中, 唯有共射放大器的输出信号与输入信号相位相反, 共集和共基放大器的输出与输入信号是同相的
答案: 正确
2、判断题：
三种组态放大器中,共集的输出电阻最小, 带负载能力最强
答案: 正确
共射、共集、共基放大器分析与对比
1、单选题：
有关晶体管基本放大器，以下说法错误的是（ ）
答案: 共集电极放大器电压放大倍数很小，不能有效放大交流信号的功率
2、单选题：
带负反馈的共发射极放大器如图所示，晶体管的rbe = 2 kW，b = 100。电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻是（ ）
答案: Au = – 0.49，Ri = 20.3 kW，Ro = 10 kW
共射放大器性能分析
1、判断题：
共射放大器放大倍数与集电极交流负载电阻(RC//RL)成正比
答案: 正确
2、判断题：
共射放大器放大倍数与β值成正比
答案: 错误
3、判断题：
共射放大器放大倍数大小与工作点电流ICQ无关
答案: 错误
共漏放大器和共栅放大器分析
1、判断题：
因为场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻完全取决于偏置电路的电阻
答案: 正确
2、判断题：
漏放大器的输出电阻
答案: 正确
共集放大器性能分析
1、判断题：
共集放大器输出电压太小与输入信号差不多, 而且相位相同, 所以共集放大器又称射极跟随器
答案: 正确
2、判断题：
在共集放大器中, 将发射极电阻拆合到基极去要乘以(1+β), 反之, 将基极电阻拆合到发射极去要除以(1+β)。原因是发射极电流是基极的(1+β)倍
答案: 正确
典型放大电路结构特点,三种阻态放大器电路
1、判断题：
放大器待放大信号必须要加到基极和发射极回路, 因为发射结电压对集电极电流有很强的控制能力
答案: 正确
2、判断题：
三种组态电路结构的不同点在于信号的输入、输出回路的不同
答案: 正确
双极型晶体管和场效应管放大器
1、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益近似等于
答案:
2、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案:
3、单选题：
放大电路如下图如示, 则该放大器输入电阻为
答案:
4、多选题：
放大电路如下图如示, Rc增大, 则
答案: 电压放大倍数增大;;
输出电阻增大;;
工作点电流不变。
5、多选题：
放大电路如下图所示，RB增大, 则
答案: 电压放大倍数减小;;
输入电阻增大;;
工作点电流减小。
6、判断题：
晶体管放大器待放大信号一定要加到发射极或基极,不能加到集电极。
答案: 正确
7、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入、输出信号同相的是共集与共基，反相的是共射。
答案: 正确
8、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为缺Rc, 输出交流电压信号恒等于零。
答案: 正确
9、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为两个电路发射结均无正偏压, 管子工作在截止状态。
答案: 正确
10、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为没有RB, 发射结偏压太大,管子要烧坏, 而且基极交流接地, 信号加不进来。
答案: 正确
11、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路不能正常放大, 因为PNP管发射结被反偏, 管子截止。
答案: 正确
12、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最大, 输出电阻最小的是共集电极放大器。
答案: 正确
13、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 带负载能力最强的是共射放大器。
答案: 错误
14、判断题：
共射、共集、共基三种组态电路中, 输入电阻最小的是共基极放大器。
答案: 正确
15、判断题：
所有场效应管放大器都可以采用自偏压做为偏置电路。
答案: 错误
16、判断题：
由于场效应管本身输入电阻为无穷大, 所以场效应管放大器的输入电阻主要由偏置电路的电阻决定。
答案: 正确
17、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案: 正确
18、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器增益等于
答案: 正确
19、判断题：
放大电路如下图如示, 则该放大器输出电阻为
答案: 正确
20、判断题：
放大电路如下图如示, 该电路从集电极输出为共射放大器,增益输出电阻。该电路从发射极输出为共集电极放大器, 增益输出电阻
答案: 正确
21、判断题：
放大电路及其交直流负载线如下图如示, 由图可见该电路的参数如下：
答案: 正确
22、判断题：
放大电路如下图如示, 其输出电压波形出现如图的畸变, 则该电路产生了截止失真。
答案: 正确
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